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      IGBT 簡 介

      發布時間:2018-05-04 瀏覽次數:0
      絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是在金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)和雙極晶體管(Bipolar)基礎上發展起來的一種新型復合功率器件,具有MOS輸入、雙極輸出功能。IGBT集Bipolar器件通態壓降小、載流密度大、耐壓高和功率MOSFET驅動功率小、開關速度快、輸入阻抗高、熱穩定性好的優點于一身。作為電力電子變換器的核心器件,為應用裝置的高頻化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基礎。
          自IGBT商業化應用以來,作為新型功率半導體器件的主型器件,IGBT在1—100kHz的頻率應用范圍內占據重要地位,其電壓范圍為600V—6500V,電流范圍為1A—3600A(140mm x 190mm模塊)。
          從應用的角度來說,由IGBT芯片組成的IGBT器件、模塊、組件以及系統裝置有著極強的應用范圍,小到我們日常所見的變頻空調、變頻冰箱、吸塵器,大到軌道交通車輛、智能電網、航空航天、船舶驅動、新能源裝備、新能源汽車等高端產業,可以說,凡是有電的地方,都可以看到它IGBT的身影,特別是在涉及國家經濟安全、國防安全戰略性產業領域,高功率等級的IGBT尤為關鍵,在某種程度上,該技術成為衡量一個國家的技術水平和制造能力重要指標之一,成為國家掌握核心技術,不受制于人的“大國重器”。
           與此同時,IGBT強大的功能決定它也是節能減排產業中不可或缺的關鍵技術。初步估算,如果將IGBT等電力電子技術應用到全國20%的電機中,可以使其電能使用效率提高15%—30%,每年可節約用電2000億千瓦時,相當20個三峽電站的年發電量。
       
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